參數(shù)資料
型號： 2SB1218G-R
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 264K
代理商： 2SB1218G-R
2SB1218G
2
SJC00352AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
IB VBE
IC VBE
VCE(sat) IC
PC Ta
IC VCE
IC IB
hFE IC
fT IE
Cob VCB
0
160
40
120
80
0
200
160
120
80
40
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
0
12
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
Ta
= 25°C
250 A
200 A
150 A
100 A
50 A
IB
= 300 A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
300
450
150
0
60
50
40
30
20
10
VCE
= 5 V
Ta
= 25°C
Base current I
B (A)
Collector
current
I
C
(mA
)
0
0.4
0.8
1.6
1.2
0
400
300
100
250
350
200
50
150
VCE
= 5 V
Ta
= 25°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Base
current
I
B
(
A
)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
240
200
160
120
80
40
VCE
= 5 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
IC / IB
= 10
25
°C
25°C
Ta
= 75°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
1
10
100
1000
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
160
120
40
100
140
80
20
60
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
8
6
2
5
7
4
1
3
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1218GR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1219GS 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1219G 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1220S 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1220T 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1218GRL 功能描述:TRANS PNP GP AMP 45VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1218GSL 功能描述:TRANS PNP 45VCEO 100MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1219 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB12190RL 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SB1219AQR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*