參數(shù)資料
型號: 2SB1203RTP
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TP, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 100K
代理商: 2SB1203RTP
2SB1203/2SD1803
No.2085—3/5
--5
--4
--3
--2
--1
2SB1203
From top
--100mA
--90mA
--80mA
--70mA
--60mA
2SD1803
From top
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
IC -- VCE
IB=0
10mA
20mA
15mA
25mA
5mA
ITR09181
0
0--2.0
--1.6
--0.4
--0.8
--1.2
IC -- VCE
--10mA
--50mA
--20mA
--30mA
--40mA
IB=0
ITR09180
5
4
3
2
1
0
0.8
2.0
0.4
1.2
1.6
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
hFE -- IC
Ta=75°C
--25°C
25°C
Ta=75°C
--25°C
25
°C
ITR09186
100
1000
5
7
3
2
10
5
7
3
2
100
1000
5
7
3
2
10
5
7
3
2
0.01
0.1
1.0
--1.0
--0.1
3
25
57
3
25 7
--10
3
25 7
7
3
25
57
3
25 7
10
3
25 7
7
--0.01
hFE -- IC
ITR09187
2SB1203
VCE= --2V
2SD1803
VCE=2V
2SB1203
VCE= --2V
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
--6
--5
--4
--3
--1
--2
0
6
5
1
2
4
3
0
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR09184
2SD1803
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IC -- VBE
ITR09185
--5
--4
--3
--2
--1
2SB1203
2SD1803
IC -- VCE
IB=0
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
5mA
ITR09183
0
0--10
--8
--2
--4
--6
IC -- VCE
--10mA
--15mA
--20mA
--25mA
--30mA
--5mA
IB=0
ITR09182
5
4
3
2
1
0
04
10
26
8
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1205S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1205T 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1205S 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1205 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1218G-S 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1203S 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:
2SB1203SE 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:
2SB1203S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1203S-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1203S-H-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2