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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1189T100/Q |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SB1189T100/Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1189T100R | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1189T100Q | 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1200F/R | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SD1200F/Q | 700 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
| 2SD1205AQ | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1189T100Q/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -80V, -0.7A, M |
| 2SB1189T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1190 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB -200V -1A 25W BCE |
| 2SB1190A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
| 2SB1190AP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 180V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
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