參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1181F5/QR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： 2SB1181F5/QR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1182F5/P 2000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1260T101/P 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SC4132T100/N 2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1727F5/N 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1181P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA
2SB1181Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA
2SB1181R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA
2SB1181TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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