型號(hào): | 2SC4132T100/N |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 117K |
代理商: | 2SC4132T100/N |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SA1727F5/N | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5001TL/RS | 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC5001F5/R | 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1952TL/P | 5000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1963T101/QR | 3000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SC4132T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4132T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4132T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4133 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSPA 50V .1A .3W ECB |
2SC4134 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORSC-64 (TP) 120V 1A 10W BCE |