參數(shù)資料
型號: 2SA965
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
中文描述: 東芝晶體管硅外延式進步黨(厘工序)
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大?。?/td> 173K
代理商: 2SA965
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PDF描述
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2SA981 2SA980 2SA981 2SA982
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參數(shù)描述
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2SA965-O,F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標準包裝:1