參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA965
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
中文描述： 東芝晶體管硅外延式進(jìn)步黨（厘工序）
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 173K
代理商： 2SA965
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PDF描述
2SA970GR TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA970 Connector,D-Shell,PCB Mnt,RECEPT,15 Contacts,PIN,0.050 Pitch,PC TAIL Terminal,#2-56
2SA979 DUAL TRANSISTOR
2SA980 2SA980 2SA981 2SA982
2SA981 2SA980 2SA981 2SA982
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA965_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier ApplicationsDriver-Stage Amplifier Applications
2SA965O 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
2SA965-O(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 3-Pin TO-92 Mod 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor
2SA965-O(TE6,F,M) 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA965-O,F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:LSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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