參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2169
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 10000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： 2SA2169
2SA2169 / 2SC6017
No.8275-4/5
VBE(sat) -- IC
3
--1.0
2
--0.01
--0.1
--10
Ta= --25°C
25°C
2
7
5
3
23
5
7
2
--1.0
35
7
2
35
7
2SA2169
IC / IB=50
IT08975
2SC6017
IC / IB=50
VBE(sat) -- IC
IT08976
75°C
3
1.0
2
0.01
0.1
10
Ta= --25°C
25°C
2
7
5
3
23
5
7
2
1.0
35
7
2
35
7
75°C
--0.01
--0.1
23
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--10
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
--1.0
--0.01
VCE(sat) -- IC
IT08973
Ta=75
°C
25°
C
--25
°C
0.01
0.1
23
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0
10
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
0.01
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SA2169
IC / IB=50
VCE(sat) -- IC
IT08974
VCE(sat) -- IC
IT08972
2SC6017
IC / IB=20
--1.0
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.01
5
7
3
--0.01
--0.1
23
5
7
23
5
7
23
5
7
--1.0
--10
VCE(sat) -- IC
Ta=75
°C
--25
°C
IT08971
2SA2169
IC / IB=20
25
°C
1.0
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
0.01
5
7
3
0.01
0.1
23
5
7
23
5
7
23
5
7
1.0
10
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
2SC6017
IC / IB=50
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
0.01
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
3
10
5
7
3
2
IT09360
A S O
0.1
1.0
23
5
7
23
5
7
2
7
5
3
10
2SA2169 / 2SC6017
Tc=25
°C
Single Pulse
For PNP minus sign is omitted.
ICP=13A (PW≤100s)
IC=10A
100
s
500
s
10
s
1ms
10ms
DC
operation
100ms
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.95
0
20
40
60
80
100
120
140
160
PC -- Ta
IT09361
2SA2169 / 2SC6017
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
No
heat
sink
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC6017-TL 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6017 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6017-TL 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6017 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2169-TL 10000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2169-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SA2174G0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2174J0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2179 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications
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