參數(shù)資料
型號: 2SA2091S
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: Medium power transistor (−60V, −1A)
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 97K
代理商: 2SA2091S
2SA2091S
Transistors
Medium power transistor (
60V,
1
A)
1/3
2SA2091S
!
Features
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 30ns
at
I
C
=
1A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. :
200mV
at
I
C
=
0.5A, I
B
=
50mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SC5879S
!
Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
!
Structure
PNP Silicon epitaxial planar transistor
!
Packaging specifications
!
External dimensions
(Unit : mm)
Taping specifications
Abbreviated symbol :
A2091S
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
SPT
(SC-72)
0.45
2.5
(1) (2) (3)
(
5.0
3
3
0.45
0.5
4.0
2.0
Taping
2SA2091S
Type
TP
5000
Package
Basic ordering unit (pieces)
Code
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
60
60
6
1.0
2.0
300
150
55 to 150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
DC
Pulsed
Pw
=
100ms
相關PDF資料
PDF描述
2SA2093 Power transistor (−60V, −2A)
2SA2094 Medium power transistor (-60V, -2A)
2SA2113 Medium power transistor (−30V, −2A)
2SA2119K Low frequency transistor
2SA2018 Low frequency transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2092 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:-1A / -60V Bipolar transistor
2SA2092_11 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:-1A /-60V Bipolar transistor Low switching noise.
2SA2092TL 制造商:Rohm 功能描述:PNP 120 to 270 Cut Tape 制造商:Rohm Semiconductor 功能描述:0
2SA2092TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 60V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2092TLR 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A TSMD3 TR RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR