參數(shù)資料
型號： 2SA1973-6
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-346
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 25V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|的SOT - 346
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2SA1973-6
2SA1973/2SC5310
No.5613–3/4
VCE(sat) -- IC
--0.01
2
3
5
7
7
2
3
2
3
5
7--1.0
--100
7
5
3
2
--1000
7
5
3
2
7
--10
-25
°
C
Ta=75
°
C
-25
°
C
Ta=75
°
C
VCE(sat) -- IC
ITR08244
ITR08245
2SC5310
IC / IB=20
Pulse
2SA1973
IC / IB=20
Pulse
Cob -- VCB
ITR08243
2SA1973
VCE=--10V
Pulse
Cob -- VCB
3
2
7
5
100
10
3
2
7
5
10
100
--1.0
3
7
7
3
2
2
5
5
1.0
3
7
7
3
2
2
5
5
ITR08242
fT -- IC
100
10
7
5
1000
7
5
3
2
3
2
2
5
3
--10
7
2
5
3
7--1000
ITR08240
2
5
3
10
7
2
5
3
7
1000
100
10
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
2SC5310
VCE=10V
Pulse
2SA1973
f=1MHz
2SC5310
f=1MHz
ITR08241
fT -- IC
25
°
C
0.01
2
3
5
7
7
2
3
2
3
5
71.0
100
7
5
3
2
5
3
2
7
10
25
°
C
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
hFE -- IC
2SA1973
VCE=--2V
Pulse
ITR08238
100
7
7
5
5
3
2
1000
7
3
--0.01
7
3
2
2
5
7
3
2
5
--1.0
7
3
0.01
7
3
2
2
5
7
3
2
5
1.0
Ta=75
°
C
--25
°
C
100
7
5
5
3
2
hFE -- IC
25
°
C
2SC5310
VCE=2V
Pulse
ITR08239
D
Collector Current, IC– A
D
Collector Current, IC– A
Collector Current, IC– mA
Collector Current, IC– mA
O
Collector-to-Base Voltage, VCB-- V
O
Collector-to-Base Voltage, VCB-- V
Collector Current, IC– A
C
S
Collector Current, IC– A
C
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5336 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC5337 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC5338 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC535 Silicon NPN Epitaxial Planar
2SC5369 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFICATION
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參數(shù)描述
2SA1977-A 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
2SA1977-L-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:GP BJT
2SA1977-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000
2SA1977-T1B-A-FB 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1
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