參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1958
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管)
中文描述： 硅外延進(jìn)步黨（外延進(jìn)步黨晶體管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： 2SA1958
2SA1958
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
150
150
3
0.2
0.4
1.4
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
V
Collector to emitter voltage
V
Emitter to base voltage
V
Collector current
A
Collector peak current
A
Collector power dissipation
W
8*
1
Junction temperature
Tj
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. T
C
= 25
°
C.
Tstg
55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
150
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
C
= -10
μ
A, I
E
= 0
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
V
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
150
V
I
C
= -1 mA, R
BE
=
∞
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
50
10
10
150
μ
A
μ
A
V
V
CB
= -100 V, I
E
= 0
V
EB
= -3 V, I
C
= 0
V
CE
= -10 V, I
C
= -10 mA
I
C
= -50 mA, I
B
= -5 mA
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector to emitter saturation
voltage
1.0
Gain bandwidth product
f
T
Cob
400
500
6.0
MHz
V
CE
= -20 V, I
C
= -50 mA
V
CB
= -30 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Collector output capacitance
5.0
pF
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PDF描述
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