參數(shù)資料
型號： 2SA1889
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管)
中文描述： 硅外延進(jìn)步黨（外延進(jìn)步黨晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 23K
代理商： 2SA1889
2SA1889
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
Tj
–200
V
Collector to emitter voltage
–200
V
Emitter to base voltage
–4
V
Collector current
–0.2
A
Collector peak current
–0.5
A
Collector power dissipation
1.4
W
Collector power dissipation
1
8
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–200
—
—
V
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–200
—
—
V
I
C
= –1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–4
—
—
V
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
h
FE
—
—
–10
μ
A
V
CB
= –160 V, I
E
= 0
V
CE
= –5 V, I
C
= –10 mA
DC current
transfer ratio
2SA1889B
60
—
120
2SA1889C
h
FE
V
BE
V
CE(sat)
100
—
200
Base to emitter voltage
—
—
–1.0
V
V
CE
= –5 V, I
C
= –30 mA
I
C
= –30 mA, I
B
= –3 mA
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
–1.0
V
Gain bandwidth product
f
T
Cob
200
300
—
MHz
V
CE
= –20 V, I
C
= –30 mA
V
CB
= –30 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Collector output capacitance
—
5.0
—
pF
See characteristic curves of 2SA1810.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SA1892-Y(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk
2SA1896STTD 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1897 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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