參數(shù)資料
型號: 2SA1889
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管)
中文描述: 硅外延進步黨(外延進步黨晶體管)
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 23K
代理商: 2SA1889
2SA1889
Silicon PNP Epitaxial
Application
High frequency amplifier
Features
Excellent high frequency characteristics
f
T
= 300 MHz typ
High voltage and low output capacitance
V
CEO
= –200 V, Cob = 5.0 pF typ
Suitable for wide band video amplifier
Complimentary pair of 2SC5024
Outline
123
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126FM
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SA18900RL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1890GRL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1892-Y(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk
2SA1896STTD 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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