參數(shù)資料
型號： 2SA1784D
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： NMP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SA1784D
2SA1784/2SC4644
No.3520–2/4
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Pl
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B
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(
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–
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B
(
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R
,
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–
(
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E
B =∞
0
4
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–
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p
s
e
S0
.
5s
Switching Time Test Circuit
VR
RL
VCE=150V
VBE=--1V
10IB1= --10IB2= IC=50mA
RL=3kΩ, RB=200Ω, at IC=50mA
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RB
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
For PNP, the polarity is reversed.
IB2
2SA1784
VCE=--10V
T
a=70
°C
--30
°C
--120
--100
--80
--60
--20
--40
0
T
a=70
°C
--30
°C
120
100
80
60
20
40
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR04653
2SC4644
VCE=10V
IC -- VBE
ITR04654
25
°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1.2
1.0
25
°C
Ta=70
°C
--30°C
hFE -- IC
2SA1784
VCE=--10V
ITR04655
100
7
5
3
2
3
2
10
7
7 --1.0
3
25
3
--10
7
3
22
5
--100
Ta=70°C
--30
°C
100
7
5
3
2
3
2
10
7
7 1.0
3
25
3
10
7
3
22
5
100
hFE -- IC
25
°C
2SC4644
VCE=10V
ITR04656
25
°C
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector
Current,
I C
–
mA
DC
Current
Gain,
h
FE
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
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PDF描述
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2SA1790GCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SA1790JCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791GRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791JRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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