參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1714K
廠商: NEC Corp.
英文描述: PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述: 進(jìn)步黨硅外延功率晶體管(達(dá)林頓連接筆記本高)高速開關(guān)
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 141K
代理商: 2SA1714K
Data Sheet D16124EJ1V0DS
5
2SA1714
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1714L PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SA1714M PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SA1720 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SA1720K 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SA1720L TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SA1720-K(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1720-L(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SA1721OTE85LF 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1721RTE85LF 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1