參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1714
廠商： NEC Corp.
英文描述： PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延功率晶體管（達(dá)林頓連接筆記本高）高速開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 141K
代理商： 2SA1714
Data Sheet D16124EJ1V0DS
2
2SA1714
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector to emitter voltage
V
CEO(SUS)
I
C
=
3.0 A, I
B
=
3.0 mA, L = 1.0 mH
100
V
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
100 V, I
E
= 0
10
μ
A
Collector cutoff current
I
CEO
V
CE
=
100 V, R
BE
=
∞
10
μ
A
DC current gain
h
FE1
**
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
1.5 A
2,000
20,000
DC current gain
h
FE2
**
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
3.0 A
1,000
Collector saturation voltage
V
CE(sat)
**
I
C
=
1.5 A, I
B
=
1.5 mA
0.9
1.2
V
Base saturation voltage
V
BE(sat)
**
I
C
=
1.5 A, I
B
=
1.5 mA
1.5
2.0
V
Turn-on time
t
on
0.15
μ
s
Storage time
t
stg
1.2
μ
s
Fall time
t
f
I
C
=
1.5 A, I
B1
=
I
B2
=
1.5 mA,
R
L
= 33
, V
CC
50 V
Refer to the test circuit.
0.6
μ
s
** Pulse test PW
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2%/pulsed
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
h
FE1
2,000 to 5,000
4,000 to 10,000
8,000 to 20,000
SWITCHING TIME (t
on
, t
stg
, t
f
) TEST CIRCUIT
Base current
waveform
Collector current
waveform
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