參數(shù)資料
型號： 2SA1705
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for Low-Frequency Power Amplifier Applications(用于低頻功率放大器應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
中文描述： 進步黨硅外延平面晶體管低頻功率放大器應(yīng)用（用于低頻功率放大器應(yīng)用的新進步黨硅外延平面型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 133K
代理商： 2SA1705
No.3025-2/4
2SA1705/2SC4485
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2
Switching Time Test Circuit
Unit (resistance :
, capacitance : F)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1706 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Current Switching Applications(用于大電流轉(zhuǎn)換應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
2SA1707 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Current Switching Applications(用于大電流轉(zhuǎn)換應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
2SA1708 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching Applications(用于高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
2SA1709 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching Applications(用于高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
2SA1714 PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR HIGH-SPEED SWITCHING
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參數(shù)描述
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2SA1706S-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1706T-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1707S-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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