參數(shù)資料
型號: 2SA1679
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: ITO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 285K
代理商: 2SA1679
Forward Bias SOA
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
2SA1679
Tc = 25
°C
Single Pulse
1ms
10ms
DC
-40
Collector-Emitter Voltage VCE [V]
Collector
Current
I
C
[A]
PT limit
IS/B limit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1699-D 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1699 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1699-D 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1699-E 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1699 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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2SA1679-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1680(F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1