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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1679 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | 2SA1679 |
10
100
1000
2SA1679
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10
V
CE
=
2V
Tc
=
150
°C
100
°C
50
°C
25
°C
0°
C
25
°C
55
°C
h
FE
-
I
C
Collector
Current
I
C
[A]
DCCurrent
Gain
hFE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1699-D | 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1699 | 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1699-D | 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1699-E | 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1699 | 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1679-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1679-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1679-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1679-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1680(F,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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