參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1673
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
中文描述： 15 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PF, FM100, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： 2SA1673
26
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
(Complement to type 2SC4388)
2S A1673
Application :
Audio and General Purpose
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SA1673
–180
–180
–6
–15
–4
85(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
–40
4
–10
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
f
T
C
OB
2SA1673
–10
max
–10
max
–180
min
50
min
–2.0
max
20
typ
500
typ
Unit
μ
A
μ
A
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=–180V
V
EB
=–6V
I
C
=–50mA
V
CE
=–4V, I
C
=–3A
I
C
=–5A, I
B
=–0.5A
V
CE
=–12V, I
E
=0.5A
V
CB
=–10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
Safe Operating Area
(Single Pulse)
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
0
0
–5
–10
–15
–1
–2
–3
–4
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
–1A
–50mA
–0.1A
I
B
=–20mA
–0.6A
–0.4A
–0.2A
0
– 3
–2
–1
0
–0.5
Base Current I
B
(A)
–1.0
–2.0
–1.5
C
C
(
I
C
=–10A
–5A
–0.02
–0.1
–1
–10
–0.5
–5
–15
10
100
50
300
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=–4V)
Typ
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
–3
–10
–100
–200
–0.2
–0.1
–1
–2
–0.5
–10
–40
–5
DC
10ms
100ms
3ms
Without Heatsink
Natural Cooling
0.02
0.1
1
10
0
10
20
30
C
T
(
Z
)
(V
CE
=–12V)
Emitter Current I
E
(A)
Typ
0.1
1
3
0.5
1
10
100
1000 2000
Time t(ms)
T
θ
j
(
θ
j-a
–t
Characteristics
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
100
80
60
40
20
3.5
0
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
0
25
50
75
100
125
150
(V
CE
=–4V)
–0.02
–0.1
–0.5
–1
–5
–10 –15
20
50
100
200
Collector Current I
C
(A)
D
F
125C
25C
–30C
C
C
(
0
–15
–10
–5
0
–2
–1
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
(V
CE
=–4V)
1(a m
2 se
– ep
R
L
(
)
I
C
(A)
V
(V)
5
I
B2
(A)
1
t
on
(
μ
s)
0.6typ
t
stg
(
μ
s)
0.9typ
t
f
(
μ
s)
0.2typ
I
(A)
–1
V
(V)
–10
External Dimensions
FM100(TO3PF)
4.4
1.5
1.5
B
E
C
5.45
±0.1
3.3
±0.2
1
3
1.75
0
±
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
2
±
1
9
±
5
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
3.35
0.65
+0.2
-0.1
±0.2
3
0.8
a
b
Weight : Approx 6.5g
a. Type No.
b. Lot No.
h
FE
Rank O(50to100), P(70to140), Y(90to180)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1687 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(低頻通用放大器應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
2SA1688 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(用于高頻通用放大器應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
2SA1693 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管)
2SA1694 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管)
2SA1695 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA16740SA 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1679-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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