參數(shù)資料
型號： 2SA1617
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial
中文描述： 硅外延進步黨
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 24K
代理商： 2SA1617
2SA1617
Silicon PNP Epitaxial
Application
High voltage amplifier
Outline
1
2
3
1. Emitter
2. Base
3. Collector
MPAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1624 PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
2SA1641 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Current Switching Applications(用于大電流轉(zhuǎn)換應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管)
2SA1645K TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
2SA1645L 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SA1645M TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1618 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1618-GR 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1618-GR(TE85L,F 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1618-GR(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP SMV
2SA1618-Y 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*