參數(shù)資料
型號： 2SA1426-Y
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2-7D101A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： 2SA1426-Y
2SA1426
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1426
Audio Power Amplifier Applications
High hFE: hFE = 100 to 320
1-W output applications
Complementary to 2SC3666.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
35
V
Collector-emitter voltage
VCEO
30
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
800
mA
Base current
IB
160
mA
Collector power dissipation
PC
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 35 V, IE = 0
―
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA
30
―
V
hFE (1)
(Note)
VCE = 1 V, IC = 100 mA
100
―
320
DC current gain
hFE (2)
VCE = 1 V, IC = 700 mA
35
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 500 mA, IB = 20 mA
―
0.7
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 1 V, IC = 10 mA
0.5
―
0.8
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 10 mA
―
120
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCE = 10 V, f = 1 MHz, IE = 0
―
19
―
pF
Note: hFE (1) classification O: 100 to 200, Y: 160 to 320
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
A1426
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Characteristics
indicator
Part No. (or abbreviation code)
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PDF描述
2SA1426 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1430-A 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1430-C 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1430 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1432 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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