參數(shù)資料
型號： 2SA1417
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
封裝： ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 46K
代理商： 2SA1417
2SA1417 / 2SC3647
No.2006-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--)120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)100
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
(80)80
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(750)1000
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(40)50
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7007A-004
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
0.75
Top View
Bottom View
VR
RB
VCC=50V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
10IB1= --10IB2=IC=0.7A
For PNP, the polarity is reversed.
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR03542
0--2
--1
--4
--3
--5
2
14
35
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
ITR03543
--20mA
--30mA
--10mA
--5mA
--3mA
--2mA
--1mA
IB=0mA
2SA1417
2SC3647
IB=0mA
20mA
30mA
50mA
40mA
10mA
5mA
3mA
2mA
1mA
--40mA
相關PDF資料
PDF描述
2SC3647S 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
2SA1461Y22-T1B Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1461Y24-T2B-A Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1461-T2B Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1461Y24-T1B Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1417S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1417T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1418 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1418S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1418T-TD-E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP 0.7A 160V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / BIP PNP 0.7A 160V
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