參數(shù)資料
型號: 2SA1381-F
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大小: 49K
代理商: 2SA1381-F
No.1426-2/5
2SA1381/2SC3503
Continued from preceding page.
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
t
u
p
t
u
OC b
o
V B
C
z
H
M
1
=
f
,
V
0
3
)
(
=
6
.
2F
p
)
1
.
3
(F
p
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
r
e
f
s
n
a
r
T
e
s
r
e
v
e
RC e
r
V B
C
z
H
M
1
=
f
,
V
0
3
)
(
=
8
.
1F
p
)
3
.
2
(F
p
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
)
t
a
s
(
E
C
IC
I
,
A
m
0
2
)
(
=
B
A
m
2
)
(
=6
.
0
)
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
e
s
a
BV
)
t
a
s
(
E
B
IC
I
,
A
m
0
2
)
(
=
B
A
m
2
)
(
=0
.
1
)
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
0
1
)
(
=
E 0
=0
0
3
)
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
(
=
E
B =∞
0
3
)
(V
e
g
a
t
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
e
s
a
BV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
)
(
=
C 0
=5
)
(V
ITR03346
IC -- VCE
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
IB=0
ITR03347
IC -- VCE
10
67
8
9
12
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
2SA1381
IB=0
2SC3503
ITR03348
IC -- VCE
0
--20
--30
--10
--40
--50
--60
--70
--80
--90 --100
0
--4
--5
--2
--3
--1
--6
--7
--8
--9
--10
IB=0
ITR03349
IC -- VCE
60
70
80
100
90
40
50
20
30
10
0
2
3
1
4
5
6
7
8
9
10
2SA1381
IB=0
2SC3503
--140A
--120
A
--100
A
--40A
--50A
--60A
--30A
--20
A
--10
A
60
A
50A
40
A
30
A
20
A
10
A
--80
A
--60
A
--20
A
--40
A
80
A
100A
120
A
60
A
40
A
20
A
ITR03350
IC -- VBE
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
0
--20
--40
--60
--80
--100
--120
2SA1381
VCE=10V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
ITR03351
IC -- VBE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
20
40
60
80
100
120
2SC3503
VCE=10V
T
a=75
°C
25
°C
--
2
C
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3503 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SA1381 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3503-D 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SA1381 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SC3503-F 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1381FSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1382 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-92MOD -50V -2A .9W ECB
2SA1382(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk
2SA1382,T6MIBF(J 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 33mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):150 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:110MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1
2SA1384-O(TE12L,CF 制造商:Toshiba 功能描述:PNP