參數(shù)資料
型號： 2SA1309S
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： S TYPE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： 2SA1309S
Data Sheet PU10211EJ01V0DS
3
2SC3357
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C, unless otherwise specified)
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
200
50
100
10
20
15
10
0.5
50
VCE = 10 V
2
1
0
25
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(W)
Ambient Temperature TA (C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Ceramic substrate
16 cm2
× 0.7 mm (t)
Free air Rth (j-a) 312.5C/W
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
2
1
0.5
0.3
0.5
0.2
1
2
5
10
30
20
f = 1 MHz
VCE = 10 V
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
10
3
2
5
0.2
0.3
0.5
1
0.1
1
5
10
50
0.1
0.5
100
VCE = 10 V
f = 1 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
15
10
0
5
0.5
1
10
50
570
VCE = 10 V
IC = 20 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN, MAG
vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
25
15
20
5
10
0
0.05
0.1
0.5
1
0.2
2
MAG
|S21e|
2
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PDF描述
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