參數(shù)資料
型號： 2SA1309S
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： S TYPE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 222K
代理商： 2SA1309S
Data Sheet PU10211EJ01V0DS
2
2SC3357
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Value
Unit
Junction to Ambient Resistance
Rth (j-a)
Note
62.5
°C/W
Note Mounted on 16 cm
2
× 0.7 mm (t) ceramic substrate
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 10 V, IE = 0 mA
–
1.0
A
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1.0 V, IC = 0 mA
–
1.0
A
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 10 V, IC = 20 mA
50
120
250
–
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 10 V, IC = 20 mA
–
6.5
–
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz
–
9.0
–
dB
Noise Figure (1)
NF
VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
–
1.1
–
dB
Noise Figure (2)
NF
VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
–
1.8
3.0
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 10 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
–
0.65
1.0
pF
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal
capacitance bridge.
hFE CLASSIFICATION
Rank
RH
RF
RE
Marking
RH
RF
RE
hFE Value
50 to 100
80 to 160
125 to 250
相關PDF資料
PDF描述
2SA1309AQ 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1309 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1310T 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1312BLTE85R 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1312BLTE85L 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1312-BL(TE85L,F 制造商:Toshiba 功能描述:PNP
2SA1312-BL(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:PNP 120V TRANSISTOR. - Tape and Reel
2SA1312-GR(TE85L,F 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1312GRTE85LF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1313-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 50V 500MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*