參數(shù)資料
型號： 2PD601ART
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 雙極晶體管
英文描述： 50 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
封裝： 2PD601ART<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,;2PD601ART<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always P
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代理商： 2PD601ART
2PD601ART_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 15 March 2007
4 of 10
NXP Semiconductors
2PD601ART
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
FR4 PCB, standard footprint
Fig 2.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration for
SOT23 (TO-236AB); typical values
006aaa991
10
5
10
10
2
10
4
10
2
10
1
t
p
(s)
10
3
10
3
1
10
2
10
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
1
0.75
0.50
0.33
0.20
0.01
0.10
0.05
0.02
0
δ
= 1
Table 7.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
I
CBO
collector-base cut-off
current
Characteristics
Conditions
V
CB
= 60 V; I
E
= 0 A
V
CB
= 60 V; I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0 A
Min
-
-
Typ
-
-
Max
10
5
Unit
nA
μ
A
I
EBO
emitter-base cut-off
current
DC current gain
-
-
10
nA
h
FE
V
CE
= 2 V;
I
C
= 100 mA
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2 mA
I
C
= 100 mA;
I
B
= 10 mA
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2 mA;
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V;
I
E
= i
e
= 0 A;
f = 1 MHz
90
-
-
210
-
340
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
transition frequency
[1]
-
-
250
mV
f
T
100
-
-
MHz
C
c
collector capacitance
-
-
3
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PD601BRL 50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors
2PD602AQL 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2PD602ARL 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2S304A Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package.
2SA1979M PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PD601ART /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ART T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ART,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ART,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ART/PA,215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:- Tape and Reel
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