參數(shù)資料
型號(hào)： 2PD601BRL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/13頁
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代理商： 2PD601BRL
1. Product profile
1.1 General description
NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
Table 1.
Type number
1.2 Features and benefits
Collector current I
C
≤
200 mA
Two current gain selections
AEC-Q101 qualified
Small SMD plastic package
1.3 Applications
General-purpose switching and amplification
1.4 Quick reference data
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
h
FE
2PD601BRL; 2PD601BSL
50 V, 200 mA NPN general-purpose transistors
Rev. 1 — 28 June 2010
Product data sheet
Product overview
Package
NXP
SOT23
PNP complement
JEDEC
TO-236AB
2PD601BRL
2PD601BSL
2PB709BRL
2PB709BSL
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
DC current gain
Conditions
open base
Min
-
-
210
Typ
-
-
-
Max
50
200
460
Unit
V
mA
V
CE
= 10 V;
I
C
= 2 mA
h
FE
group R
h
FE
group S
210
290
-
-
340
460
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2PD601BSL 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORNPN50V0.2ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:290; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
2PD601BSL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50 V 200 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD602 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR
2PD602/A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN General Purpose Transistors
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