參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002BKT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET
中文描述： 290 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-75, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 10/16頁(yè)
文件大?。?/td> 334K
代理商： 2N7002BKT
2N7002BKT
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Product data sheet
Rev. 1 — 15 June 2010
10 of 16
NXP Semiconductors
2N7002BKT
60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET
8. Test information
Fig 17. Duty cycle definition
t
1
t
2
P
t
006aaa812
duty cycle
δ
=
t
1
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002BKV 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
2N7002E 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT1G Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT3 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002BKT,115 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V 290mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002BKV 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETNN CH60V0.34ASOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH,60V,0.34A,SOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH,60V,0.34A,SOT666, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH,60V,0.34A,SOT666, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V, Power Dissipation Pd:525mW, Operating Temperature , RoHS Compliant: Yes
2N7002BKV,115 功能描述:MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:350mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:370mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7002BKW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.31A SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drai 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT323, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:310mA, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V, Power , RoHS Compliant: Yes
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