參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002BKS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET
中文描述： 300 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大?。?/td> 356K
代理商： 2N7002BKS
2N7002BKS
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 23 September 2010
3 of 16
NXP Semiconductors
2N7002BKS
60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm
2
.
[2]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[3]
Measured between all pins.
I
DM
peak drain current
T
amb
= 25
°
C;
single pulse; t
p
≤
10
μ
s
T
amb
= 25
°
C
-
1.2
A
P
tot
total power dissipation
[2]
-
295
340
1040
mW
mW
mW
[1]
-
T
sp
= 25
°
C
-
Source-drain diode
I
S
ESD maximum rating
V
ESD
source current
T
amb
= 25
°
C
[1]
-
300
mA
electrostatic discharge
voltage
human body model
[3]
-
2000
V
Per device
P
tot
T
j
T
amb
T
stg
total power dissipation
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
T
amb
= 25
°
C
[2]
-
445
150
+150
+150
mW
°
C
°
C
°
C
55
65
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Limiting values
…continued
Conditions
Min
Max
Unit
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of ambient temperature
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of ambient temperature
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
75
25
017aaa001
40
80
120
P
der
(%)
0
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
75
25
017aaa002
40
80
120
I
der
(%)
0
P
der
P
P
tot 25
°
C
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25
°
C
)
-------------------
100
%
×
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002BKT 60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002BKV 60 V, 340 mA dual N-channel Trench MOSFET
2N7002E 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002LT1G Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002BKS,115 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V 300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002BKS/ZLX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 300MA SOT363 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:1.04W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2N7002BKT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.29A SOT416 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.29A, SOT416 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.29A, SOT416; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:290mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; No. of Pins:3;RoHS Compliant: Yes
2N7002BKT,115 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V 290mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002BKV 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETNN CH60V0.34ASOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH,60V,0.34A,SOT666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH,60V,0.34A,SOT666, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,NN CH,60V,0.34A,SOT666, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V, Power Dissipation Pd:525mW, Operating Temperature , RoHS Compliant: Yes
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