參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7000_ND26Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 235K
代理商： 2N7000_ND26Z
2N7000.SAM Rev. A1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
T , JUNCTION TEM PERATURE (°C)
DRAIN-SOURCE
BREAKDO
WN
VOLTAG
E
J
BV
,
NORMALIZED
DSS
I
= 250A
D
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1
1 .2
1 .4
0 .001
0 .005
0 .01
0 .05
0 .1
0 .5
1
2
V
, BODY DIODE FORWA RD VOLTAGE (V)
I
,
REVERSE
DR
A
IN
CURRENT
(A)
V
= 0V
GS
T = 125° C
J
SD
S
25° C
-55° C
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
0
2
4
6
8
10
Q
, GATE CHARGE (nC)
V
,
GAT
E-SO
URCE
VOLTAGE
(V)
g
GS
I
=500 mA
D
V
= 25V
DS
115 mA
280 mA
1
2
3
5
10
20
30
50
1
2
5
10
20
40
60
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
CAPACITANCE
(pF)
DS
C iss
f = 1 MH z
V
= 0V
GS
C oss
C rss
G
D
S
VDD
R
L
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t on
toff
td(off)
t f
tr
t d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11.
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics (continued)
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000D28Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000J24Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000J22Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000J59Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000D11Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000P 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000RLRA 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000RLRAG 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000RLRM 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000RLRMG 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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