參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6660-2
廠商： VISHAY SILICONIX
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
封裝： TO-39, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 78K
代理商： 2N6660-2
2N6660, VQ1004J/P
Vishay Siliconix
www.vishay.com
11-4
Document Number: 70222
S-04379—Rev. E, 16-Jul-01
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Threshold Region
Capacitance
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
Normalized
Ef
fective
T
ransient
Thermal
Impedance
t1 – Square Wave Pulse Duration (sec)
ID – Drain Current (A)
VDS – Drain-to-Source Voltage (V)
VGS – Gate-to-Source Voltage (V)
Qg – Total Gate Charge (pC)
10
1
0.01
0.5
0.1
1.0
1.5
2.0
VDS = 5 V
25
_C
–55
_C
125
_C
TJ = 150
_C
C oss
120
100
80
0
010
50
60
40
20
30
40
20
C iss
C rss
VGS = 0 V
f = 1 MHz
15.0
12.5
10.0
0
100
600
7.5
5.0
200
300
400
2.5
500
I D = 1.0 A
VDS = 30 V
48 V
0.1
1
10
100
10
1
50
20
5
2
VDD = 25 V
RG = 25
W
VGS = 0 to 10 V
td(off)
tr
td(on)
tf
0.1
10 K
1.0
0.01
0.1
1.0
100
10
1 K
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (TO-205AD)
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = RthJC = 20_C/W
3. TJM – TC = PDMZthJC(t)
t1
t2
t1
Notes:
PDM
t2
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Single Pulse
0.02
0.05
0.01
I D
–
Drain
Current
(mA)
C
–
Capacitance
(pF)
V
GS
–
Gate-to-Source
V
oltage
(V)
t
–
Switching
T
ime
(ns)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6660-G 410 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39
2N6660B-1 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
2N6660B-2 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
2N6660 2000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39
2N6660 990 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
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參數(shù)描述
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2N6660CSM4 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N6660CSM4_0809 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N6660-E3 功能描述:MOSFET 60V 0.99A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N6660-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CH MOSFET 60V 1.1A TO-205AD
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