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2N6678-JQR	15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N6678.MOD	15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
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2N6715STOA	1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2N6577	制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device
2N6578	制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
2N6579	制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 12A 3PIN TO-3 - Bulk
2N657A	功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor Gen Purp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

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參數(shù)描述

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制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Power Darlington Transistors

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2N6579

制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 12A 3PIN TO-3 - Bulk

2N657A

功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor Gen Purp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

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型號(hào)：	2N6576
廠商：	ON SEMICONDUCTOR
元件分類：	功率晶體管
英文描述：	15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝：	METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)：	50/60頁(yè)
文件大?。?/td>	363K
代理商：	2N6576

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