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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6576 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 363K |
| 代理商： | 2N6576 |
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3–144
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN Silicon Power Darlington
Transistors
General–purpose EpiBase power Darlington transistors, suitable for linear and
switching applications.
Replacement for 2N3055 and Driver
High Gain Darlington Performance
Built–in Diode Protection for Reverse Polarity Protection
Can Be Driven from Low–Level Logic
Popular Voltage Range
Operating Range — –65 to +200_C
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating
Symbol
2N6576
2N6577
2N6578
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO(sus)
60
90
120
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
60
90
120
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
7.0
Vdc
Collector Current — Continuous
— Peak
IC
15
30
Adc
Base Current — Continuous
— Peak
IB
0.25
0.50
Adc
Emitter Current — Continuous
— Peak
IE
15.25
30.5
Adc
Total Power Dissipation
@ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
120
0.685
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 200
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
1.46
_C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/16
″ from Case for 10s.
TL
265
_C
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
COLLECTOR
EMITTER
[ 4 k
[ 50
BASE
DARLINGTON SCHEMATIC
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6576
2N6577
2N6578
15 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
DARLINGTON
60, 90, 120 VOLTS
120 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
REV 7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6678-JQR | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6678.MOD | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6678-JQR-B | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6678-JQR-BR1 | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6715STOA | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6576_1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Power Darlington Transistors |
| 2N6577 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device |
| 2N6578 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 2N6579 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 12A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N657A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor Gen Purp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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