參數(shù)資料
型號： 2N6520RLRA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： 2N6520RLRA
2N6515, 2N6517, 2N6520
http://onsemi.com
123
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product (Note 1)
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 20 MHz)
fT
40
200
MHz
CollectorBase Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
6.0
pF
EmitterBase Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
2N6515, 2N6517
2N6520
Ceb
80
100
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
TurnOn Time
(VCC = 100 Vdc, VBE(off) = 2.0 Vdc, IC = 50 mAdc, IB1 = 10 mAdc)
ton
200
ms
TurnOff Time
(VCC = 100 Vdc, IC = 50 mAdc, IB1 = IB2 = 10 mAdc)
toff
3.5
ms
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
2N6515
TO92
5000 Unit / Bulk
2N6515RLRM
TO92
2000 Tape & Ammo Box
2N6517
TO92
5000 Unit / Bulk
2N6517RLRA
TO92
2000 Tape & Reel
2N6517RLRP
TO92
2000 Tape & Ammo Box
2N6520RLRA
TO92
2000 Tape & Reel
2N6520RLRAG
TO92
(PbFree)
2000 Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifica-
tions Brochure, BRD8011/D.
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PDF描述
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2SC1741ASTP/Q 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1936-AP 800 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2N6520RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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