參數(shù)資料
型號： 2N6511
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Bipolar NPN Device
中文描述： 7 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 11K
代理商： 2N6511
2N6754
Bipolar NPN Device.
V
CEO
= 500V
I
C
= 10A
All Semelab hermetically sealed products
can be processed in accordance with the
requirements of BS, CECC and JAN,
JANTX, JANTXV and JANS specifications.
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CEO
*
500
V
I
C(CONT)
10
A
h
FE
@ (V
CE
/ I
C
)
8
-
f
t
15M
Hz
P
D
75
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk
.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Generated
31-Jul-02
TO3 (TO204AA)
PINOUTS
1 – Base
2 – Emitter
Case - Collector
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Dimensions in mm (inches).
1
2
3
(case)
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
3
3
2
3
1
1
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
0
1
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
2
(
m
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6230 N FEMALE POWER DIVIDER; NUMBER OF OUTPUT PORTS: 2; FREQUENCY RANGE: 2 - 500 MHz; MINIMUM ISOLATION: 25 dB; VSWR: 1.35 MAXIMUM; MAXIMUM INSERTION LOSS: 1.00 dB
2N6764 100V, 38A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(100V, 38A,N溝道，增強(qiáng)模式功率MOS場效應(yīng)管)
2N6766 200V, 30A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(200V, 30A,N溝道，增強(qiáng)模式MOS功率場效應(yīng)管)
2N6768 400V, 14A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(400V, 14A,N溝道，增強(qiáng)模式MOS功率場效應(yīng)管)
2N6770 500V, 12A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(500V, 12A,N溝道，增強(qiáng)模式功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
2N6512 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 7A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6513 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 7A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6514 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 300V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 7A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6515/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Voltage Transistors
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