- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371469 > 2N6507G (ON SEMICONDUCTOR) Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N6507G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS |
| 中文描述： | 25 A, 400 V, SCR, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | 2N6507G |
2N6504 Series
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
C
T
°
dc
180
°
16
12
0
80
90
10
0
110
13
0
60
°
α
= 30
°
0
4.0
I
T(AV)
, ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
8.0
12
20
α
= CONDUCTION ANGLE
α
90
°
P
(
180
°
90
°
24
0
8.0
16
32
T
J
= 125
°
C
dc
60
°
α
= 30
°
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
16
0
4.0
8.0
12
20
α
= CONDUCTION ANGLE
α
Figure 1. Average Current Derating
Figure 2. Maximum OnState Power Dissipation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6507T | Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS |
| 2N6507TG | Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS |
| 2N6508G | Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS |
| 2N6509G | Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS |
| 2N6509T | Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6507G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:CONNECTOR ((NW)) |
| 2N6507T | 功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N6507TG | 功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N6508 | 功能描述:SCR 600V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N6508G | 功能描述:SCR 600V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。