參數(shù)資料
型號: 2N6504G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 晶閘管
英文描述: Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
中文描述: 25 A, 50 V, SCR, TO-220AB
封裝: LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大?。?/td> 72K
代理商: 2N6504G
2N6504 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL TRIGGER CHARACTERISTICS
Figure 6. Typical Gate Trigger Current
versus Junction Temperature
Figure 7. Typical Gate Trigger Voltage
versus Junction Temperature
Figure 8. Typical Holding Current
versus Junction Temperature
10
1
100
125
110
80
65
50
35
5
10
25
20
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
I
40
95
V
125
110
95
80
50
35
5
40
0.8
10
25
20
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
0.6
0.4
0.2
,1.0
65
0.9
0.7
0.5
0.3
I
H
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
100
10
1
125
110
95
80
50
35
5
40
10
25
20
65
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N6505 功能描述:SCR 100V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6505G 功能描述:SCR 100V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6505T 功能描述:SCR 100V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6505TG 功能描述:SCR 100V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube