參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6490
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-06, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 151K
代理商： 2N6490
2N6487 2N6488 2N6490 2N6491
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
500
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.5
0.2
10
1.0
2.0
100
50
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
– 55
°C
200
20
NPN
2N6487, 2N6488
PNP
2N6490, 2N6491
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
– 55
°C
5.0
VCE = 2.0 V
10
5.0
0.5
0.2
10
1.0
2.0
20
5.0
500
100
50
200
20
5.0
10
5.0
100
IC = 1.0 A
TJ = 25°C
10
4.0 A
8.0 A
20
50
2000
1000
200
500
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
IB, BASE CURRENT (mA)
5.0
100
5000
1.8
1.6
1.4
1.2
IC = 1.0 A
TJ = 25°C
0
10
4.0 A
8.0 A
20
50
1.0
0.2
0.6
0.8
0.4
2000
1000
200
500
5000
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
0
1.0
0.2
0.6
0.8
0.4
IB, BASE CURRENT (mA)
VCE(sat) @ IC/IB = 10
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 2.0 V
2.8
1.6
1.2
2.4
0
0.8
0.4
0.2
0.5
2.0
20
10
1.0
5.0
VBE(sat) @ IC/IB = 10
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 10. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
VCE(sat) @ IC/IB = 10
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 2.0 V
2.8
1.6
1.2
2.4
0
0.8
0.4
0.2
0.5
2.0
20
10
1.0
5.0
VBE(sat) = IC/IB = 10
2.0
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