參數資料
型號： 2N6426RLRAG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Darlington Transistors NPN Silicon
中文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數： 3/6頁
文件大小： 87K
代理商： 2N6426RLRAG
2N6426, 2N6427
http://onsemi.com
3
R
S
i
n
e
n
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
NOISE CHARACTERISTICS
(V
CE
= 5.0 Vdc, T
A
= 25
°
C)
Figure 2. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
50
100
200
500
20
Figure 3. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 4. Total Wideband Noise Voltage
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k )
Figure 5. Wideband Noise Figure
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k )
5.0
50
70
100
200
30
10
20
1.0
10
10
20
50
100 200
500
1k 2k
5k 10k 20k
50k 100k
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
≈
0
I
C
= 1.0 mA
100 A
10 A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
I
C
= 1.0 mA
100 A
10 A
e
i
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1000
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
I
C
= 10 A
100 A
1.0 mA
8.0
10
12
14
6.0
0
4.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1000
2.0
BANDWIDTH = 10 Hz TO 15.7 kHz
10 A
100 A
I
C
= 1.0 mA
V
N
10
20
50
100 200
500
1k 2k
5k 10k 20k
50k 100k
相關PDF資料
PDF描述
2N6427G Darlington Transistors NPN Silicon
2N6427RLRAG Darlington Transistors NPN Silicon
2N6429 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
2N6439 POWER TRANSISTOR
2N6439 60 W, 225 to 400 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
相關代理商/技術參數
參數描述
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2N6427_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Darlington Transistor
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2N6427_D27Z 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6427_D75Z 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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