參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6401G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers SCRs 16 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
中文描述： 16 A, 100 V, SCR, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： 2N6401G
2N6400 Series
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
C
T
°
6.0
120
100
112
128
60
°
α
= 30
°
0
1.0
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
2.0
3.0
8.0
α
= CONDUCTION ANGLE
Figure 1. Average Current Derating
α
90
°
P
(
12
0
4.0
8.0
T
J
≈
125
°
C
Figure 2. Maximum OnState Power Dissipation
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
7.0
0
1.0
2.0
3.0
8.0
α
= CONDUCTION ANGLE
α
4.0
5.0
7.0
180
°
dc
10
2.0
6.0
14
16
4.0
5.0
6.0
60
°
α
= 30
°
90
°
180
°
dc
124
104
108
116
10
9.0
120
°
9.0
10
120
°
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PDF描述
2N6405G Silicon Controlled Rectifiers SCRs 16 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
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2N6402G 功能描述:SCR 200V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6403 功能描述:SCR 400V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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