參數(shù)資料
型號: 2N6399
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 晶閘管
英文描述: 12 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(12A(均方根值),800V硅控整流器反向截止晶閘管)
中文描述: 12 A, 800 V, SCR, TO-220AB
封裝: CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 118K
代理商: 2N6399
2N6394 Series
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
C
T
°
6.0
120
90
100
110
130
60
°
α
= 30
°
0
1.0
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
2.0
3.0
8.0
α
= CONDUCTION ANGLE
α
90
°
P
(
12
0
4.0
8.0
20
T
J
125
°
C
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPS)
7.0
0
1.0
2.0
3.0
8.0
α
= CONDUCTION ANGLE
α
4.0
5.0
7.0
180
°
dc
10
2.0
6.0
18
14
16
4.0
5.0
6.0
60
°
α
= 30
°
90
°
180
°
dc
125
95
105
115
Figure 1. Current Derating
Figure 2. Maximum On
State Power Dissipation
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N6399G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCR Thyristor
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2N6400 功能描述:SCR 50V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6400/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers