參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6399
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： 12 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(12A（均方根值），800V硅控整流器反向截止晶閘管)
中文描述： 12 A, 800 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： 2N6399
2N6394 Series
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction
to
Case
R
JC
T
L
2.0
°
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8
″
from Case for 10 Seconds
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
*Peak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current
(V
AK
= Rated V
DRM
or V
RRM
, Gate Open)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
DRM
, I
RRM
10
2.0
A
mA
ON CHARACTERISTICS
*Peak Forward On
State Voltage (Note 2)
(I
TM
= 24 A Peak)
V
TM
1.7
2.2
V
*Gate Trigger Current (Continuous dc)
(V
D
= 12 Vdc, R
L
= 100 Ohms)
I
GT
5.0
30
mA
*Gate Trigger Voltage (Continuous dc)
(V
D
= 12 Vdc, R
L
= 100 Ohms)
V
GT
0.7
1.5
V
Gate Non
Trigger Voltage
(V
D
= 12 Vdc, R
L
= 100 Ohms, T
J
= 125
°
C)
V
GD
0.2
V
*Holding Current
(V
D
= 12 Vdc, Initiating Current = 200 mA, Gate Open)
I
H
6.0
50
mA
Turn-On Time
(I
TM
= 12 A, I
GT
= 40 mAdc, V
D
= Rated V
DRM
)
t
gt
1.0
2.0
s
Turn-Off Time (V
D
= Rated V
DRM
)
(I
TM
= 12 A, I
R
= 12 A)
(I
TM
= 12 A, I
R
= 12 A, T
J
= 125
°
C)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
t
q
15
35
s
Critical Rate
of
Rise of Off-State Voltage Exponential
(V
D
= Rated V
DRM
, T
J
= 125
°
C)
*Indicates JEDEC Registered Data
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 sec, Duty Cycle
≤
2%.
dv/dt
50
V/ s
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
2N6394
TO
220AB
500 Units / Box
2N6394G
TO
220AB
(Pb
Free)
500 Units / Box
2N6395
TO
220AB
500 Units / Box
2N6395G
TO
220AB
(Pb
Free)
500 Units / Box
2N6397
TO
220AB
500 Units / Box
2N6397G
TO
220AB
(Pb
Free)
500 Units / Box
2N6399
TO
220AB
500 Units / Box
2N6399G
TO
220AB
(Pb
Free)
500 Units / Box
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6400 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），50V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6401 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），100V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6402 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），200V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6403 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），400V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6404 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），600V硅控整流器反向截止晶閘管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6399G 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6399G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCR Thyristor
2N6399TG 功能描述:SCR 12A 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6400 功能描述:SCR 50V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6400/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers
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