參數(shù)資料
型號： 2N6397G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
中文描述： 12 A, 400 V, SCR, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2N6397G
2N6394 Series
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Peak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current
(V
AK
= Rated V
DRM
or V
RRM
, Gate Open)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
DRM
, I
RRM
10
2.0
A
mA
ON CHARACTERISTICS
Peak Forward OnState Voltage (Note 2)
(I
TM
= 24 A Peak)
V
TM
1.7
2.2
V
Gate Trigger Current (Continuous dc) (V
D
= 12 Vdc, R
L
= 100 Ohms)
I
GT
5.0
30
mA
Gate Trigger Voltage (Continuous dc) (V
D
= 12 Vdc, R
L
= 100 Ohms)
V
GT
0.7
1.5
V
Gate NonTrigger Voltage (V
D
= 12 Vdc, R
L
= 100 Ohms, T
J
= 125
°
C)
V
GD
0.2
V
Holding Current (V
D
= 12 Vdc, Initiating Current = 200 mA, Gate Open)
I
H
6.0
50
mA
Turn-On Time (I
TM
= 12 A, I
GT
= 40 mAdc, V
D
= Rated V
DRM
)
t
gt
1.0
2.0
s
Turn-Off Time (V
D
= Rated V
DRM
)
(I
TM
= 12 A, I
= 12 A)
(I
TM
= 12 A, I
R
J
= 125
°
C)
t
q
15
35
s
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Critical RateofRise of Off-State Voltage Exponential
(V
D
= Rated V
DRM
, T
J
= 125
°
C)
dv/dt
50
V/ s
Indicates JEDEC Registered Data
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 sec, Duty Cycle
≤
2%.
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
C
T
°
6.0
120
90
100
110
130
60
°
α
= 30
°
0
1.0
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 1. Current Derating
2.0
3.0
8.0
α
= CONDUCTION ANGLE
α
90
°
4.0
5.0
7.0
180
°
dc
125
95
105
115
P
(
12
0
4.0
8.0
20
18
T
J
≈
125
°
C
I
T(AV)
, AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPS)
Figure 2. Maximum OnState Power Dissipation
7.0
0
1.0
2.0
3.0
8.0
α
= CONDUCTION ANGLE
α
10
2.0
6.0
14
16
4.0
5.0
6.0
60
°
α
= 30
°
90
°
180
°
dc
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6399G Silicon Controlled Rectifiers SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
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2N6395 12 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(12A（均方根值），100V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6397 12 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(12A（均方根值），400V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6394 SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
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參數(shù)描述
2N6397T 功能描述:SCR 400V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6397TG 功能描述:SCR 400V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6398 制造商:Motorola 功能描述:2N6398 TO220 PREPPED LDS
2N6399 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6399G 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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