參數(shù)資料
型號： 2N6388
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Plastic Medium Power Silicon Transistors(10A，65W，80V（集電極-發(fā)射極），塑料，硅NPN中等功率晶體管)
中文描述： 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 141K
代理商： 2N6388
2N6387 2N6388
http://onsemi.com
6
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
10
7.0
3.0
5.0
0
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 250
V
Figure 10. “On” Voltages
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 250
T
J
= 25
°
C
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
10
7.0
3.0
5.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Figure 11. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
θ
°
*
θ
VC
for V
CE(sat)
55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
*I
C
/I
B
≤
hFE@VCE
4.0V
3
55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
θ
VB
for V
BE
2.0
3.0
4.0
5.0
+ 1.0
+ 2.0
+ 3.0
+ 4.0
+ 5.0
10
5
Figure 12. Collector Cut
Off Region
V
BE
, BASEEMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
2
10
1
10
0
,
I
10
1
V
CE
= 30 V
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
REVERSE
FORWARD
10
3
10
4
+0.2
+0.4
0
0.2
0.4
0.6
+0.6
+0.8
+1.0
+1.2 + 1.4
Figure 13. Darlington Schematic
BASE
COLLECTOR
EMITTER
8.0 k
120
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PDF描述
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2N6388G 功能描述:達林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N638A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
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