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型號: | 2N6381 |
廠商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 50 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 71K |
代理商: | 2N6381 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N5960 | 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2N6609 | 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N6378 | 50 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N6438 | 25 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
2N6439 | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N6382 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 120V 50A 3PIN TO-63 - Bulk |
2N6383 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 40V 10A 3PIN TO-204AA - Bulk |
2N6383SV | 制造商: 功能描述: |
2N6384 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6385 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 80V 10A 3PIN TO-204AA - Bulk 制造商:NTE Electronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, 10A, TO-3-2; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:1000; Operating Temperature Min:-55C ;RoHS Compliant: Yes |
*型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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