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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6609 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | 2N6609 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6378 | 50 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6438 | 25 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6439 | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 2N6467 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N6473-DR6204 | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6609 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3 |
| 2N6609G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 150W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N661 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:alloy-junction germanium transistors |
| 2N6617 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 16V V(BR)CEO | 10MA I(C) | MICRO-X |
| 2N6618 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 16V V(BR)CEO | 10MA I(C) | SOT-100VAR |
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