參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6349A
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： 12 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(12A（均方根值）,800V硅雙向晶閘管)
中文描述： 800 V, 12 A, TRIAC, TO-220AB
封裝： CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2N6349A
2N6344A, 2N6348A, 2N6349A
http://onsemi.com
5
70
80
90
100
110
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
30
°
dc
I
T(RMS)
, RMS ON-STATE CURRENT, (AMP)
120
°
180
°
90
°
0
α
= CONDUCTION ANGLE
α
α
60
°
T
C
°
4.0
0
0
I
T(RMS)
, RMS ON-STATE CURRENT (AMP)
8.0
16
12
20
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
T
J
= 110
°
C
α
α
α
= CONDUCTION ANGLE
dc
60
°
α
= 30
°
180
°
120
°
90
°
P
A
Figure 1. RMS Current Derating
Figure 2. OnState Power Dissipation
1
2
3
QUADRANTS
QUADRANT 4
60
20
20
0
40
60
80
100
120
140
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
0.4
40
0.6
0.8
1.0
1.2
1
2
3
4
1.4
1.6
1.8
50
30
20
10
7.0
5.0
140
120
100
80
60
40
20
0
20
40
60
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
V
D
= 12 V
V
g
QUADRANT
I
G
Figure 3. Typical Gate Trigger Voltage
Figure 4. Typical Gate Trigger Current
V
D
= 12 V
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PDF描述
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2N6349AG 功能描述:雙向可控硅 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N634A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9
2N635 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9
2N6350 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans Darlington NPN 80V 5A 4-Pin TO-33 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 80V 5A 4PIN TO-33 - Bulk
2N6351 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans Darlington NPN 150V 5A 4-Pin TO-33 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 150V 5A 4PIN TO-33 - Bulk
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