參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6341
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High-Power NPN Silicon Transistor(25A，200W，150V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
中文描述： 25 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 135K
代理商： 2N6341
2N6338 2N6341
http://onsemi.com
2
200
50
00
25
50
75
100
125
150
175
200
T
C
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
P125
150
100
(2) f
T
= |h
fe
|
f
test
.
C
(I
= 50 mAdc, I
= 0)
Collector Cutoff Current
CE
B
2N6341
150
I
CEO
50
μ
Adc
(V
CE
= Rated V
CEO
, V
EB(off)
= 1.5 Vdc)
CE
CEO
EB(off)
C
10
Adc
CB
CB
E
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
C
CE
CBO
50
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 1.0 Adc)
C
B
1.0
(I
C
= 25 Adc, I
B
= 2.5 Adc)
BE(sat)
2.5
1.8
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
CE
test
CB
E
Fall Time (V
≈
80 Vdc, I
= 10 Adc, I
= I
= 1.0 Adc)
Base
Emitter On Voltage (I
C
= 10 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
V
BE(on)
Vdc
T
ob
t
f
0.25
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6339 High-Power NPN Silicon Transistor(25A，200W，120V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
2N6340 High-Power NPN Silicon Transistor(25A，200W，140V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
2N6342 TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
2N6343 TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
2N6344 TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
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參數(shù)描述
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2N6341G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 150V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6341X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-204AA
2N6342 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
2N6342A 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SILICON BIDIRECTIONAL THYRISTORS
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