參數(shù)資料
型號： 2N6339
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High-Power NPN Silicon Transistor(25A，200W，120V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
中文描述： 25 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： 2N6339
2N6338 2N6339 2N6340 2N6341
http://onsemi.com
3
Output Capacitance (V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 0.1 MHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
(2) f
T
= |h
fe
|
f
test
.
(V
CE
= 70 Vdc, I
B
= 0)
CE
B
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 0)
2N6339
2N6341
I
CBO
I
EBO
150
—
—
120
—
50
50
—
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 50 Vdc, I
B
= 0)
2N6338
2N6340
—
I
1.0
—
mAdc
μ
Adc
μ
Adc
50
Adc
(V
CE
= Rated V
CEO
, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150 C)
Collector Cutoff Current (V
CB
= Rated V
CB
, I
E
= 0)
Emitter Cutoff Current (V
BE
= 6.0 Vdc, I
C
= 0)
ON CHARACTERISTICS (1)
Collector Cutoff Current
—
I
CEX
10
μ
Adc
(I
C
= 10 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
C
CE
—
100
—
FE
30
12
1.8
120
—
—
(I
C
= 25 Adc, I
B
= 2.5 Adc)
(I
= 25 Adc, I
= 2.5 Adc)
V
CE(sat)
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
C
B
V
—
1.8
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product (2)
(I
= 1.0 Adc, V
= 10 Vdc, f
= 10 MHz)
C
ob
f
—
40
300
—
pF
MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Rise Time (V
CC
80 Vdc, I
C
= 10Adc, I
B1
= 1.0 Adc, V
BE(off)
= 6.0 Vdc)
CC
C
B1
B2
t
r
s
—
0.3
μ
s
相關PDF資料
PDF描述
2N6340 High-Power NPN Silicon Transistor(25A，200W，140V（集電極-發(fā)射極），硅NPN大功率晶體管)
2N6342 TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
2N6343 TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
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2N6340X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN
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